- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
本設備系統主要由濺射室、加熱旋轉基片臺、磁控靶組件，濺射電源、工作氣路、抽氣系統、控制系統、真空測量系統，安裝機臺等部分組成，本系統配有磁控靶及電源，多靶材傾斜共濺射的方式沉積薄膜，設備配置一套強磁靶，三套永磁靶，四靶磁控鍍膜儀，可用于金屬+非金屬 鈦膜、金膜、鉻膜、二氧化硅薄膜生長多層薄膜的制備，在電子領域、光學領域、有機物等領域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。
設備配有四個磁控靶，三套直流電源和一套射頻流電源可以分別獨立控制，，靶置于底部傾斜共濺射，靶基距自動可調，磁控靶帶有靶材原位清洗功能可用于鍍多層導電金屬膜。同時設備配置手動磁力傳遞桿，取送1片基片裝置，這樣的設計能夠減少主腔室抽放真空的次數，不僅能有效節省時間，更能保證更好的本地真空，減少污染，方便使用有效提高鍍膜質量。本設備水冷腔體，樣品臺可加熱至800攝氏度，旋轉功能.
技術參數:
|
供電電源 |
220, 50Hz |
|
|
樣
臺 |
位置 |
上部 |
|
直徑尺寸 |
6 英寸（兼容小尺寸基片） |
|
|
樣品臺升降距離 |
90mm-130mm 電動升降 調整交接位置離子能量調節裝置1套 |
|
|
可調轉速 |
0-20rpm 可調 |
|
|
加熱溫度 |
RT~800℃ 控溫精度±1℃，采用合金加熱片加熱器（24 小時連續加熱 800 小時無故障）離子能量調節裝置 1 套，改善應力分布，有助于減少膜層開裂翹曲風險 |
|
|
真 |
主腔體尺寸 |
D500X500 |
|
送樣室 過渡傳送樣品腔體 |
300mm*220*110mm具備自動傳送樣品功能 |
|
|
腔體材料 |
304 不銹鋼 |
|
|
烤氣和照明 |
具備內烘烤除氣功能，具備腔外照明功能 |
|
|
內壁處理 |
電解拋光 |
|
|
密封方式 |
氟橡膠密封 |
|
|
開門方式 |
手動鋁合金前開門 |
|
|
觀察窗口 |
φ100mm（帶擋板） |
|
|
均 |
膜厚均勻性 |
≤±5% |
|
樣品傳輸 |
手動磁力傳遞桿 |
取送1片基片 |
|
磁 槍 |
數量 |
1RF+3DC，配電動擋板，一套強磁靶，三套永磁靶 可以鍍金、鈦、鉻、二氧化硅以及其他任何金屬和非金屬膜層 強磁靶：1套，尺寸3英寸75mm（用于濺射磁性材料薄膜，靶材厚度2mm 范圍內），直流 永磁靶1套，尺寸3英寸75mm； 直流 永磁靶1套, 尺寸3英寸75mm 直流 射頻靶1套 尺寸3英寸75mm 射頻
|
|
擺頭角度 |
可調角度-45~45 度 |
|
|
濺射方向 |
向上濺射 |
|
|
靶材平面 |
圓形平面靶 |
|
|
靶材直徑 |
3英寸 |
|
|
靶材厚度 |
*厚3mm |
|
|
直 |
數量 |
3臺 |
|
電源功率 |
500W |
|
|
輸出電壓 |
0～800V |
|
|
模式 |
電源可支持恒流、恒壓、恒功率三種模式 |
|
|
直流電源工作壓力范圍 |
0-100pa |
|
|
*大輸出電流 |
1A大于0.75A |
|
|
連續工作時間 |
≥24 小時 |
|
|
啟動時間 |
1~10S |
|
|
射 |
數量 |
1臺 600W |
|
功率 |
輸出功率：600W |
|
|
陽極層離子源 |
數量 |
1臺 |
|
功率 |
對基片進行清洗，1套，配套擋板組件，*大離子能量≥700eV； |
|
|
膜 |
通道數 |
單通道 |
|
測量精度 |
0.1 ? |
|
|
測量速度 |
100ms-1s/次，可設置測量范圍：500000?（鋁） |
|
|
標準傳感器晶體 |
6MHz |
|
|
適用晶片尺寸 |
Φ14mm |
|
|
真 |
前級泵 |
雙極旋片泵*2套 1 套旋片真空泵抽速≥13L/S，1 套旋片真空泵抽速≥8L/S；
|
|
渦輪分子泵 |
數量：2 1 套濺射室分子泵抽速2000L/s 1 套進樣室分子泵抽速600L/s 額定轉速：27000rpm 啟動時間：≦5min 冷卻方式：水冷 進氣接口：ISO150 出氣接口：KF40 |
|
|
真空度 |
濺射室：≤8.0x10-6Pa(經烘烤除氣后)； 進樣室：≤6.6x10-4Pa(經烘烤除氣后)； 從大氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達到6.6x10-4Pa |
|
|
保壓性能 |
系統停泵關機12小時后真空度：≤5Pa |
|
|
真空測量 |
復合真空計，測量范圍10-5Pa ~ 105 Pa 濺射室：1x105Pa-1x10-7Pa，進樣室：1x105Pa-1x10-5Pa，工藝薄膜規 13.3pa；
|
|
|
水 |
冷卻水流速 |
CW500010L/min |
|
整機功率 |
冷卻水循環機制冷量 6.2KW |
|
|
冷卻功率 |
50W/℃ |
|
|
水箱容量 |
9L |
|
|
氣體控制 |
4路質量流量控制器： 氬氣：0-200SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 氮氣：0-100SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 氧氣：0-100SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 甲烷氣：0-200SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 配有混氣罐可以實現自動氣體攪拌裝置 1 套；
|
|
|
空壓系統 |
≥140L/min 1套 |
|
|
控制系統 |
由工控機和PLC實現對整個系統的控制， 有自動和手動控制兩種功能， 操作過程全部在觸摸屏上實現， 提供配方設置、真空系統、磁控系統、工藝系統、充氣系統、冷卻系統等人機操作界面； 在工控機上可通過配方式參數設置方式實現對程序工藝過程和設備參數的設置PLC自動控制 10.5英寸觸摸屏 自動鍍膜程序： 具備長膜程序設置，程序設置數量>10個 具各工藝記錄長膜過程參數功能 |
|
|
其他 |
配備工具箱1套，空氣壓縮機排氣量≥140L/min，數量≥1套；冷卻水循環機制冷 量≥6.2KW，數量≥1套。100*100mm 樣品托≥10 件，其中≥5件盲托并配陣列螺釘孔，≥5件掩膜托。外置氣體質量流量控制器≥2套，Air介質(內置氣體可切換≥98種)，量程范圍≥0～200sccm，質量流量精度≤±0.6%讀數或±0.1%滿量程(取*大值)，可現場編輯混合氣體≥5種，顯示屏同時顯示質量流量、體積流量、壓力、溫度等。外置氣體質量流量控制器≥1套，帶流量顯示儀，量程范圍≥0～200sccm，準確度：≤± 1.5%F.S。 |
|
|
閥門 |
電控氣動閘板閥 電控氣動切斷閥 電控氣動旁抽閥 |
|
|
尺寸 |
1700mm*1000mm*1750mm |
|
