- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
CY- MIOP500 為高真空多弧離子鍍膜儀，利用電弧放電將導(dǎo)電材料離子化，利用其繞射性好的優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上（特別是泡沫鎳等多孔基底），制備納米級(jí)薄膜鍍層或納米顆粒。主要由鍍膜室、多弧靶、多弧電源、脈沖偏壓電源、樣品臺(tái)、加熱、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+觸摸屏半自動(dòng)控制系統(tǒng)等組成；該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì)，操控方便；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。該系列設(shè)備廣泛應(yīng)用于高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開發(fā)新產(chǎn)品等，深受廣大用戶好評(píng)。
高真空多弧離子鍍膜儀主要用途:
制備多元非晶合金,制備金屬化合物，如氧化物和氮化物薄膜（氧氣或氮?dú)夥諊?制備納米顆粒催化劑膜,用熱電材料靶材制備熱電效應(yīng)薄膜。
高真空多弧離子鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
|
1.真空腔室 |
Ф500×H420mm，304 上等不銹鋼，前開門結(jié)構(gòu)； 腔室加熱溫度：室溫～350±1℃； |
|
2.真空系統(tǒng) |
復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統(tǒng)，數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)； |
|
|
優(yōu)于 6.0×10-5Pa（空載，經(jīng)烘烤除氣后）； |
|
4.漏率 |
設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h； 設(shè)備保壓：停泵 12 小時(shí)候后，真空≤10Pa； |
|
5.抽速 |
(空載）從大氣抽至 5.0×10-3Pa≤15min； |
|
6.基片臺(tái)尺寸 |
Φ150mm，自轉(zhuǎn)工位 3 個(gè)； |
|
7.基片臺(tái)旋轉(zhuǎn) |
基片旋轉(zhuǎn)：0～20 轉(zhuǎn)/分鐘； |
|
8.濺射靶 |
DN100 新型磁過濾多弧靶 2 套 |
|
9.脈沖偏壓電源 |
-1000V，1 套； |
|
11.控制方式 |
PLC+觸摸屏人機(jī)界面半自動(dòng)控制系統(tǒng)； |
|
12.報(bào)警及保護(hù) |
對(duì)泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施；完善 的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng)； |
|
13.占地 |
(主機(jī)）L1900×W800×H1900(mm)。 |
